| |
Высоковольтная радиационностойкая компонентная база на основе SiC для работы в экстремальных условиях.
Условные обозначения макетных
образцов на основе SiC.
I Условные обозначения макетных образцов SiC JFET и MOSFET транзисторов.
|
№
п/п |
Условное
обозначение |
Назначение |
Основные эл. параметры |
Корпус |
|
VRRM, В |
IF(AV), А |
VF, В |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
|
1 |
К1П12
К1П09
К1П06 |
диод |
1200
900
600 |
1,0 |
не более
1,6 |
КТ-47
(Sot89) |
|
2 |
К1К12
К1К09
К1К06 |
диод |
1200
900
600 |
1,0 |
не более
1,6 |
4601.3-1 |
|
3 |
К1МС12
К1МС09
К1МС06 |
диод |
1200
900
600 |
1,0 |
не более
1,6 |
КТ-1 |
|
4 |
К3П12
К3П09
К3П06 |
диод |
1200
900
600 |
3,0 |
не более
2,2 |
КТ-89 (ТО-252) |
|
5 |
К3К12
К3К09
К3К06 |
диод |
1200
900
600 |
3,0 |
не более
2,2 |
4601.3-1 |
|
6 |
КС5К12
КС5К09
КС5К06 |
диодная сборка
(не объединённые) |
1200
900
600 |
5,0 |
не более
2,0 |
427.4-1 |
|
7 |
КС20К12к
КС20К09к
*КС20К06к |
диодная сборка
(с общ. катодом) |
1200
900
600 |
2х20,0 |
не более
2,2 |
типа
КТ-43А-1 без медного осн. |
|
8 |
КС20К12а
КС20К09а *
КС20К06а |
диодная сборка
(с общ. анодом) |
1200
900
600 |
2х20,0 |
не более
2,2 |
типа
КТ-43А-1 без медного осн. |
|
9 |
КС20МК12к
КС20МК09к *
КС20МК06к |
диодная сборка
(с общ. катодом) |
1200
900
600 |
2х20,0 |
не более
2,2 |
МК типа
КТ-43А-2 с
медным осн. |
|
10 |
КС20МК12а
КС20МК09а *
КС20МК06а |
диодная сборка
(с общ. анодом) |
1200
900
600 |
2х20,0 |
не более
2,2 |
МК типа
КТ-43А-2 с
медным осн. |
|
11 |
КС1К17
КС1К12 *
КС1К09
КС1К06 |
однофазный
диодный мост |
1700
1200
900
600 |
4х1,0 |
не более
|
КТ-108 |
|
12 |
КС3К17
КС3К12*
КС3К09
КС3К06 |
однофазный
диодный мост |
1700
1200
900
600 |
4х3,0 |
не более
|
КТ-108 |
|
13 |
КП12К085 |
JFET
транзистор с нормально открытым
каналом
|
1200 |
27 |
0,085 |
типа
КТ-43А-1 без медного осн.
|
|
14 |
КП12МК085 |
JFET
транзистор с нормально открытым
каналом
|
1200 |
27 |
0,085 |
МК типа КТ-43А-2 с
медным осн.
|
|
15 |
КМ12К08 |
MOSFET
n-канальный
транзистор |
1200 |
35 |
0,08 |
типа
КТ-43А-1 без медного осн.
|
|
16 |
КМ12МК08 |
MOSFET
n-канальный
транзистор
|
1200 |
35 |
0,08 |
МК типа КТ-43А-2 с
медным осн.
|
Примечания:
- К – SiC;
- С – сборка;
- 1, 3, 5 – ID;
- П – пластмассовый корпус, К – керамический корпус, МК – металлокерамический корпус, МС – металлостеклянный корпус;
- 06, 09, 12 – VRRM по классу;
- а – сборка с общим анодом, к – сборка с общим катодом.
- * - в разработке
Техническая поддержка: (4832) 41-93-01, (4832) 74-03-01
|